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CXK5T81000AYM-10LLX

产品描述131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM
产品类别存储    存储   
文件大小162KB,共11页
制造商SONY(索尼)
官网地址http://www.sony.co.jp
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CXK5T81000AYM-10LLX概述

131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM

CXK5T81000AYM-10LLX规格参数

参数名称属性值
厂商名称SONY(索尼)
零件包装代码TSOP
包装说明TSOP1-R, TSSOP32,.8,20
针数32
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最长访问时间100 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G32
长度18.4 mm
内存密度1048576 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-25 °C
组织128KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1-R
封装等效代码TSSOP32,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
电源3/3.3 V
认证状态Not Qualified
反向引出线YES
座面最大高度1.2 mm
最小待机电流2 V
最大压摆率0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
宽度8 mm
Base Number Matches1

CXK5T81000AYM-10LLX相似产品对比

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描述 131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM 131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM 131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM 131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM 131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM 131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM 131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM 131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM 131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM
厂商名称 SONY(索尼) SONY(索尼) - - - SONY(索尼) SONY(索尼) - SONY(索尼)
零件包装代码 TSOP SOIC - SOIC - TSOP TSOP - TSOP
包装说明 TSOP1-R, TSSOP32,.8,20 SOP, SOP32,.56 - SOP, SOP32,.56 - TSOP1, TSSOP32,.8,20 TSOP1, TSSOP32,.8,20 - TSOP1-R, TSSOP32,.8,20
针数 32 32 - 32 - 32 32 - 32
Reach Compliance Code unknow unknow - unknow - unknow unknow - unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99 - EAR99 EAR99 - EAR99
最长访问时间 100 ns 100 ns - 120 ns - 100 ns 120 ns - 120 ns
I/O 类型 COMMON COMMON - COMMON - COMMON COMMON - COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-G32 R-PDSO-G32 - R-PDSO-G32 - R-PDSO-G32 R-PDSO-G32 - R-PDSO-G32
长度 18.4 mm 20.5 mm - 20.5 mm - 18.4 mm 18.4 mm - 18.4 mm
内存密度 1048576 bi 1048576 bi - 1048576 bi - 1048576 bi 1048576 bi - 1048576 bi
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM - STANDARD SRAM - STANDARD SRAM STANDARD SRAM - STANDARD SRAM
内存宽度 8 8 - 8 - 8 8 - 8
功能数量 1 1 - 1 - 1 1 - 1
端子数量 32 32 - 32 - 32 32 - 32
字数 131072 words 131072 words - 131072 words - 131072 words 131072 words - 131072 words
字数代码 128000 128000 - 128000 - 128000 128000 - 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C - 85 °C - 85 °C 85 °C - 85 °C
最低工作温度 -25 °C -25 °C - -25 °C - -25 °C -25 °C - -25 °C
组织 128KX8 128KX8 - 128KX8 - 128KX8 128KX8 - 128KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE - 3-STATE - 3-STATE 3-STATE - 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP1-R SOP - SOP - TSOP1 TSOP1 - TSOP1-R
封装等效代码 TSSOP32,.8,20 SOP32,.56 - SOP32,.56 - TSSOP32,.8,20 TSSOP32,.8,20 - TSSOP32,.8,20
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE - SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL - PARALLEL - PARALLEL PARALLEL - PARALLEL
电源 3/3.3 V 3/3.3 V - 3/3.3 V - 3/3.3 V 3/3.3 V - 3/3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified - Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 3.05 mm - 3.05 mm - 1.2 mm 1.2 mm - 1.2 mm
最小待机电流 2 V 2 V - 2 V - 2 V 2 V - 2 V
最大压摆率 0.035 mA 0.035 mA - 0.035 mA - 0.035 mA 0.035 mA - 0.035 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V - 3.6 V - 3.6 V 3.6 V - 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V - 2.7 V - 2.7 V 2.7 V - 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V - 3.3 V - 3.3 V 3.3 V - 3.3 V
表面贴装 YES YES - YES - YES YES - YES
技术 CMOS CMOS - CMOS - CMOS CMOS - CMOS
温度等级 OTHER OTHER - OTHER - OTHER OTHER - OTHER
端子形式 GULL WING GULL WING - GULL WING - GULL WING GULL WING - GULL WING
端子节距 0.5 mm 1.27 mm - 1.27 mm - 0.5 mm 0.5 mm - 0.5 mm
端子位置 DUAL DUAL - DUAL - DUAL DUAL - DUAL
宽度 8 mm 11.2 mm - 11.2 mm - 8 mm 8 mm - 8 mm
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