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MT29C1G12MAACVAKC-5 IT

产品描述IC flash/lpdram 1.5gbit 107tfbga
产品类别存储   
文件大小421KB,共15页
制造商Micron(美光)
官网地址http://www.micron.com/
标准  
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MT29C1G12MAACVAKC-5 IT概述

IC flash/lpdram 1.5gbit 107tfbga

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Preliminary
152-Ball NAND Flash and Mobile LPDRAM PoP (TI OMAP) MCP
Features
NAND Flash and Mobile LPDRAM
152-Ball Package-on-Package (PoP)
Combination Memory (TI OMAP™)
MT29C Family
Current production part numbers: See Table 1 on page 3
Features
Figure 1:
PoP Block Diagram
Micron
®
NAND Flash and Mobile LPDRAM
components
RoHS-compliant, “green” package
Separate NAND Flash and Mobile LPDRAM
interfaces
Space-saving package-on-package combination
Low-voltage operation (1.70–1.95V)
Industrial temperature range: –40°C to +85°C
NAND Flash
Power
NAND Flash
Device
NAND Flash
Interface
NAND Flash-Specific Features
• Organization
Page size
x8: 2112 bytes (2048 + 64 bytes)
x16: 1056 words (1024 + 32 words)
Block size: 64 pages (128K + 4K bytes)
LP-DRAM Power
LP-DRAM
Device
LP-DRAM Interface
Mobile LPDRAM-Specific Features
No external voltage reference required
No minimum clock rate requirement
1.8V LVCMOS-compatible inputs
Programmable burst lengths
Partial-array self refresh (PASR)
Deep power-down (DPD) mode
Selectable output drive strength
STATUS REGISTER READ (SRR) supported
1
Options
• LP-DRAM
166 MHz CL3
2
133 MHz CL3
Marking
-6
-75
Notes: 1. Contact factory for remapped SRR output.
2. CL = CAS (READ) latency.
PDF: 09005aef8326e5ac / Source: 09005aef8326e59a
152ball_ nand_lpdram_j4xx_omap.fm - Rev. E 4/09 EN
1
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
©2008 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
‡Products and specifications discussed herein are for evaluation and reference purposes only and are subject to change by
Micron without notice. Products are only warranted by Micron to meet Micron’s production data sheet specifications.
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