transistor pnp 120v 50ma TO-92s
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Fairchild |
| 零件包装代码 | TO-92S |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.05 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 120 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 300 |
| JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT APPLICABLE |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.3 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT APPLICABLE |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 100 MHz |
| KSA1174FTA | KSA1174FBU | KSA1174PBU | KSA1174PTA | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | transistor pnp 120v 50ma TO-92s | transistor pnp 120v 50ma TO-92s | transistor pnp 120v 50ma TO-92s | transistor pnp 120v 50ma TO-92s |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Fairchild | Fairchild | Fairchild | Fairchild |
| 零件包装代码 | TO-92S | TO-92S | TO-92S | TO-92S |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| 针数 | 3 | 3 | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknow | unknow | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | LOW NOISE | LOW NOISE | LOW NOISE | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.05 A | 0.05 A | 0.05 A | 0.05 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 120 V | 120 V | 120 V | 120 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 300 | 300 | 200 | 200 |
| JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 | e3 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT APPLICABLE | NOT APPLICABLE | NOT APPLICABLE | NOT APPLICABLE |
| 极性/信道类型 | PNP | PNP | PNP | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.3 W | 0.3 W | 0.3 W | 0.3 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT APPLICABLE | NOT APPLICABLE | NOT APPLICABLE | NOT APPLICABLE |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 100 MHz | 100 MHz | 100 MHz | 100 MHz |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
