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KSC2669OBU

产品描述transistor npn 30v 30ma TO-92s
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小38KB,共4页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
标准
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KSC2669OBU概述

transistor npn 30v 30ma TO-92s

KSC2669OBU规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码TO-92S
包装说明LEAD FREE, TO-92S, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.03 A
集电极-发射极最大电压30 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)70
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz

KSC2669OBU相似产品对比

KSC2669OBU
描述 transistor npn 30v 30ma TO-92s
是否Rohs认证 符合
厂商名称 Fairchild
零件包装代码 TO-92S
包装说明 LEAD FREE, TO-92S, 3 PIN
针数 3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.03 A
集电极-发射极最大电压 30 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 70
JESD-30 代码 R-PSIP-T3
JESD-609代码 e3
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
极性/信道类型 NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.2 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 Matte Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 250 MHz

 
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