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IS61NVVF102436B-7.5B2L

产品描述ZBT SRAM, 1MX36, 7.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, LEAD FREE, PLASTIC, MS-028, BGA-119
产品类别存储    存储   
文件大小2MB,共37页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
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IS61NVVF102436B-7.5B2L概述

ZBT SRAM, 1MX36, 7.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, LEAD FREE, PLASTIC, MS-028, BGA-119

IS61NVVF102436B-7.5B2L规格参数

参数名称属性值
Objectid1252098478
零件包装代码BGA
包装说明BGA,
针数119
Reach Compliance Codecompliant
Country Of OriginMainland China, Taiwan
ECCN代码3A991.B.2.A
YTEOL6.8
最长访问时间7.5 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B119
长度22 mm
内存密度37748736 bit
内存集成电路类型ZBT SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量119
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX36
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)250
座面最大高度3.5 mm
最大供电电压 (Vsup)1.89 V
最小供电电压 (Vsup)1.71 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度14 mm

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