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CFY25-23H

产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小150KB,共8页
制造商SIEMENS
官网地址http://www.infineon.com/
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CFY25-23H概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET

CFY25-23H规格参数

参数名称属性值
厂商名称SIEMENS
包装说明DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压5 V
最大漏极电流 (ID)0.08 A
FET 技术METAL SEMICONDUCTOR
最高频带X BAND
JESD-30 代码O-CRDB-F4
元件数量1
端子数量4
工作模式DEPLETION MODE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches1

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