EEPROM, 256X8, Serial, CMOS, 2 X 3 MM, TDFN-8
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
零件包装代码 | DFN |
包装说明 | HVSON, SOLCC8,.11,20 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
最大时钟频率 (fCLK) | 0.1 MHz |
数据保留时间-最小值 | 100 |
耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles |
I2C控制字节 | 1010DDDR |
JESD-30 代码 | R-XDSO-N8 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 3 mm |
内存密度 | 2048 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
字数 | 256 words |
字数代码 | 256 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 256X8 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装代码 | HVSON |
封装等效代码 | SOLCC8,.11,20 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE |
并行/串行 | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 2/5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 0.8 mm |
串行总线类型 | I2C |
最大待机电流 | 0.000001 A |
最大压摆率 | 0.003 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | NO LEAD |
端子节距 | 0.5 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 2 mm |
最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms |
写保护 | HARDWARE/SOFTWARE |
Base Number Matches | 1 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved