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RN4907,LF(CT

产品描述trans prebias npn/pnp 50v us6
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小247KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准  
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RN4907,LF(CT概述

trans prebias npn/pnp 50v us6

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RN4907
TOSHIBA Transistor
Silicon PNP/NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Transistor with Built-in Bias Resistor)
RN4907
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
and Driver Circuit Applications
Including two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads)
With built-in bias resistors
Simplify circuit design
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Unit: mm
Equivalent Circuit and Bias Resister Values
R1: 10kΩ
R2: 47kΩ
(Q1, Q2 Common)
Q1 Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Rating
−50
−50
−6
−100
Unit
V
V
V
mA
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-2J1A
Weight: 6.8mg (typ.)
Q2 Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Rating
50
50
6
100
Unit
V
V
V
mA
Start of commercial production
1990-10
1
2014-03-01

RN4907,LF(CT相似产品对比

RN4907,LF(CT RN4907(T5L,F,T) RN4907,LF
描述 trans prebias npn/pnp 50v us6 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
晶体管类型 - 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值) - 100mA 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值) - 50V 50V
电阻器 - 基底(R1) - 10 千欧 10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2) - 47 千欧 47 千欧
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) - 80 @ 10mA,5V 80 @ 10mA,5V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) - 300mV @ 250µA,5mA 300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值) - 100nA(ICBO) 500nA
频率 - 跃迁 - 200MHz 200MHz
功率 - 最大值 - 200mW 200mW
安装类型 - 表面贴装 表面贴装
封装/外壳 - 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装 - US6 US6
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