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AN1A4P-A

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, SC-43B, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小123KB,共2页
制造商NEC(日电)
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AN1A4P-A概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, SC-43B, 3 PIN

AN1A4P-A规格参数

参数名称属性值
厂商名称NEC(日电)
零件包装代码TO-92
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)95
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)6000 ns
最大开启时间(吨)200 ns
Base Number Matches1

AN1A4P-A相似产品对比

AN1A4P-A
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, SC-43B, 3 PIN
厂商名称 NEC(日电)
零件包装代码 TO-92
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数 3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
其他特性 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
最大集电极电流 (IC) 0.1 A
集电极-发射极最大电压 50 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 95
JEDEC-95代码 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3
元件数量 1
端子数量 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND
封装形式 CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
最大关闭时间(toff) 6000 ns
最大开启时间(吨) 200 ns
Base Number Matches 1
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