Bridge Diode
½ノイズタイプ シングルインライン型
Low Noise type Single In-line Package
LN4SB60
600V 4A
特長
• 薄型 S
I
P パッケージ
• UL E142422
• ½ノイズ
• 高
I
FSM
■外観図 OUTLINE
Package：3S
Unit : mm
Weight : 3.9g typ.）
（
品名
Type No.
管理番号（例）
Control No.
25
ロッ
ト記号
（例）
Date code
4.6
LN4SB 60
0264
15
＋
①
∼ ∼
② ③
−
④
+
∼
∼
−
Feature
•
•
•
•
Thin-S
I
P
UL E142422
Low Noise
Large
I
FSM
17.5
①
②
③
④
外½図については新電元 Web サイト又は〈半導½½品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格
Absolute Maximum Ratings（
指定のない場合
Tc=25℃／
unless otherwise speci
項 目
Item
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
電流二乗時間積
Current Squared Time
絶縁耐圧
Dielectric Strength
締め付けトルク
Mounting Torque
）
単½
Unit
℃
℃
V
A
A
A
2
s
k
V
記号
条 件
Symbol Conditions
T
stg
T
j
V
RM
I
O
I
FSM
I
2
t
V
dis
TOR
50Hz 正弦波，抵抗負荷
50Hz sine wave.
Resistance load
品 名
Type No.
LN4SB60
−40∼150
150
600
フィン付き
Tc = 111℃
With heatsink
フィンなし
Ta = 25℃
Without heatsink
50Hz 正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値，Tj = 25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1 cycle peak value, Tj = 25℃
１素子½たりの規格値
1ms≦t＜10ms, Tj = 25℃,
per diode
4.0
2.5
150
50
2
0.8
一括端子・ケース間，AC１分間印加
Terminals to Case, AC 1 minute
（推奨値：0.5 N・m）
（Recommended
torque : 0.5 N・m）
N・m
●電気的・熱的特性 Electrical
Characteristics（
指定のない場合
Tc=25℃／
unless otherwise speci
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
逆回復時間
Reverse Recovery Time
）
V
μA
μs
V
F
I
R
trr
θjc
θjl
θja
熱抵抗
Thermal Resistance
パルス測定，１素子½たりの規格値
Pulse measurement, per diode
V
R =
V
RM
,
パルス測定，１素子½たりの規格値
Pulse measurement, per diode
I
F =
0.1A, I
R =
0.1V,
１素子½たりの規格値
per diode
接合部・ケース間，フィン付き
Junction to Case, With heatsink
接合部・リード間，フィンなし
Junction to Lead, Without heatsink
接合部・周囲間，フィンなし
Junction to Ambient, Without heatsink
I
F =
2A,
MAX
MAX
MAX
MAX
MAX
MAX
0.95
10
5
5.5
6
30
℃/W
58
（J534）
Microchip MCU
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