电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

HB561003B-20

产品描述DRAM Module, 256KX9, 200ns, NMOS, SIMM-30
产品类别存储    存储   
文件大小215KB,共8页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

HB561003B-20概述

DRAM Module, 256KX9, 200ns, NMOS, SIMM-30

HB561003B-20规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码SIMM
包装说明SIMM, SIM30
针数30
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式PAGE
最长访问时间200 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XSMA-N30
内存密度2359296 bit
内存集成电路类型DRAM MODULE
内存宽度9
功能数量1
端口数量1
端子数量30
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX9
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码SIMM
封装等效代码SIM30
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期256
座面最大高度17.78 mm
最大压摆率0.495 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术NMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距2.54 mm
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

HB561003B-20相似产品对比

HB561003B-20 HB561003A-20 HB561003A-15 HB561003AR-20 HB561003A-12
描述 DRAM Module, 256KX9, 200ns, NMOS, SIMM-30 DRAM Module, 256KX9, 200ns, NMOS, SIMM-30 DRAM Module, 256KX9, 150ns, NMOS, SIMM-30 DRAM Module, 256KX9, 200ns, NMOS, SIMM-30 DRAM Module, 256KX9, 120ns, NMOS, SIMM-30
厂商名称 Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas )
零件包装代码 SIMM SIMM SIMM SIMM SIMM
包装说明 SIMM, SIM30 , SIP30,.2 , SIP30,.2 , SIP30,.2 , SIP30,.2
针数 30 30 30 30 30
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 PAGE PAGE PAGE PAGE PAGE
最长访问时间 200 ns 200 ns 150 ns 200 ns 120 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XSMA-N30 R-XSMA-T30 R-XSMA-T30 R-XSMA-T30 R-XSMA-T30
内存密度 2359296 bit 2359296 bit 2359296 bit 2359296 bit 2359296 bit
内存集成电路类型 DRAM MODULE DRAM MODULE DRAM MODULE DRAM MODULE DRAM MODULE
内存宽度 9 9 9 9 9
功能数量 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1
端子数量 30 30 30 30 30
字数 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000 256000 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 256KX9 256KX9 256KX9 256KX9 256KX9
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装等效代码 SIM30 SIP30,.2 SIP30,.2 SIP30,.2 SIP30,.2
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 256 256 256 256 256
座面最大高度 17.78 mm 18.034 mm 18.034 mm 17.78 mm 18.034 mm
最大压摆率 0.495 mA 0.495 mA 0.63 mA 0.495 mA 0.747 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO
技术 NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
Base Number Matches 1 1 1 1 -
是否无铅 - 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 - 不符合 不符合 不符合 不符合
JESD-609代码 - e0 e0 e0 e0
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
端子面层 - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1273  1770  1692  693  1966  26  2  8  11  35 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved