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CT20VM-8

产品描述STROBE FLASHER USE
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小27KB,共2页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
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CT20VM-8概述

STROBE FLASHER USE

CT20VM-8规格参数

参数名称属性值
厂商名称Mitsubishi(日本三菱)
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)130 A
集电极-发射极最大电压400 V
配置SINGLE
门极发射器阈值电压最大值7 V
门极-发射极最大电压30 V
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON

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MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
CT20VM-8
STROBE FLASHER USE
CT20VM-8
OUTLINE DRAWING
1.5MAX.
r
10.5MAX.
Dimensions in mm
1.3
1
13.2 ± 0.5
1.5MAX.
8.6 ± 0.3
9.8 ± 0.5
0.5
2.5
2.5
0.5
wr
q
q
GATE
w
COLLECTOR
e
EMITTER
r
COLLECTOR
e
¡V
CES ...............................................................................
400V
¡I
CM ...................................................................................
130A
TO-220C
APPLICATION
Strobe Flasher.
MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CES
V
GES
V
GEM
I
CM
T
j
T
stg
(Tc = 25°C)
Parameter
Collector-emitter voltage
Gate-emitter voltage
Peak gate-emitter voltage
Collector current (Pulsed)
Junction temperature
Storage temperature
Conditions
V
GE
= 0V
V
CE
= 0V, See notice 4
V
CE
= 0V, tw = 0.5s
See figure 1
2.6 ± 0.4
q
w
e
Ratings
400
±30
±40
130
–40 ~ +150
–40 ~ +150
4.5
Unit
V
V
V
A
°C
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
V
(BR)CES
I
CES
I
GES
V
GE(th)
Parameter
(Tj = 25°C)
Test conditions
I
C
= 1mA, V
GE
= 0V
V
CE
= 400V, V
GE
= 0V
V
GE
=
±40V,
V
CE
= 0V
V
CE
= 10V, I
C
= 1mA
Limits
Min.
450
Typ.
Max.
10
±0.1
7.0
Unit
V
µA
µA
V
Feb.1999
Collector-emitter breakdown voltage
Collector-emitter leakage current
Gate-emitter leakage current
Gate-emitter threshold voltage
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