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LTC6227IMS8E#TRPBF

产品描述1nV/√Hz 420MHz GBW, 180V/µs, Low Distortion Rail-to-Rail Output Op Amps
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小2MB,共28页
制造商ADI(亚德诺半导体)
官网地址https://www.analog.com
标准
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LTC6227IMS8E#TRPBF概述

1nV/√Hz 420MHz GBW, 180V/µs, Low Distortion Rail-to-Rail Output Op Amps

LTC6227IMS8E#TRPBF规格参数

参数名称属性值
Brand NameAnalog Devices Inc
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
Objectid145124862373
包装说明MSOP-8
针数8
制造商包装代码05-08-1662
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Date Of Intro2020-03-04
Samacsys ManufacturerAnalog Devices
Samacsys Modified On2023-10-04 01:25:34
YTEOL8.5
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
标称带宽 (3dB)330 MHz
最小共模抑制比95 dB
标称共模抑制比114 dB
频率补偿YES
最大输入失调电流 (IIO)0.5 µA
最大输入失调电压225 µV
JESD-30 代码S-PDSO-G8
长度3 mm
低-失调YES
微功率NO
负供电电压上限-6 V
标称负供电电压 (Vsup)-5 V
功能数量2
端子数量8
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码HTSSOP
封装等效代码TSSOP8,.25
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法TR
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
功率NO
可编程功率NO
座面最大高度1.1 mm
最小摆率90 V/us
标称压摆率180 V/us
最大压摆率15.2 mA
供电电压上限6 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽420000 kHz
最小电压增益44668.36
宽带YES
宽度3 mm

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