电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

LTC6227IDD#PBF

产品描述1nV/√Hz 420MHz GBW, 180V/µs, Low Distortion Rail-to-Rail Output Op Amps
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小2MB,共28页
制造商ADI(亚德诺半导体)
官网地址https://www.analog.com
标准
下载文档 详细参数 全文预览

LTC6227IDD#PBF概述

1nV/√Hz 420MHz GBW, 180V/µs, Low Distortion Rail-to-Rail Output Op Amps

LTC6227IDD#PBF规格参数

参数名称属性值
Brand NameAnalog Devices Inc
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
Objectid145124862360
包装说明DFN-10
针数10
制造商包装代码05-08-1699
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Date Of Intro2020-03-04
Samacsys ManufacturerAnalog Devices
Samacsys Modified On2023-10-04 01:25:34
YTEOL8.5
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
标称带宽 (3dB)330 MHz
最小共模抑制比95 dB
标称共模抑制比114 dB
频率补偿YES
最大输入失调电流 (IIO)0.5 µA
最大输入失调电压225 µV
JESD-30 代码S-PDSO-N10
长度3 mm
低-失调YES
微功率NO
负供电电压上限-6 V
标称负供电电压 (Vsup)-5 V
功能数量2
端子数量10
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码HVSON
封装等效代码SOLCC10,.11,20
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
功率NO
可编程功率NO
座面最大高度0.8 mm
最小摆率90 V/us
标称压摆率180 V/us
最大压摆率14.8 mA
供电电压上限6 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式NO LEAD
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽420000 kHz
最小电压增益25118.86
宽带YES
宽度3 mm

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1441  75  2205  1134  1848  30  2  45  23  38 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved