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UPD46185084BF1-E40Y-EQ1-A

产品描述QDR SRAM
产品类别存储    存储   
文件大小592KB,共39页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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UPD46185084BF1-E40Y-EQ1-A概述

QDR SRAM

UPD46185084BF1-E40Y-EQ1-A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid1277419775
包装说明BGA-165
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
Samacsys DescriptionQDRII/DDRII/ QDRII+/DDRII+ SRAM
Samacsys ManufacturerRenesas Electronics
Samacsys Modified On2023-10-24 19:30:29
YTEOL0
最长访问时间0.45 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B165
JESD-609代码e6
长度15 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型QDR SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量165
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
座面最大高度1.46 mm
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN BISMUTH
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
宽度13 mm

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Datasheet
μ
PD46185084B
μ
PD46185094B
μ
PD46185184B
μ
PD46185364B
18M-BIT QDR II SRAM
4-WORD BURST OPERATION
Description
The
μ
PD46185084B is a 2,097,152-word by 8-bit, the
μ
PD46185094B is a 2,097,152-word by 9-bit, the
μ
PD46185184B is a 1,048,576-word by 18-bit and the
μ
PD46185364B is a 524,288-word by 36-bit synchronous
quad data rate static RAM fabricated with advanced CMOS technology using full CMOS six-transistor memory
cell.
The
μ
PD46185084B,
μ
PD46185094B,
μ
PD46185184B and
μ
PD46185364B integrate unique synchronous
peripheral circuitry and a burst counter. All input registers controlled by an input clock pair (K and K#) are
latched on the positive edge of K and K#. These products are suitable for application which require
synchronous operation, high speed, low voltage, high density and wide bit configuration.
These products are packaged in 165-pin PLASTIC BGA.
TM
R10DS0113EJ0200
Rev.2.00
Nov 09, 2012
Features
1.8 ± 0.1 V power supply
165-pin PLASTIC BGA (13 x 15)
HSTL interface
PLL circuitry for wide output data valid window and future frequency scaling
Separate independent read and write data ports with concurrent transactions
100% bus utilization DDR READ and WRITE operation
Four-tick burst for reduced address frequency
Two input clocks (K and K#) for precise DDR timing at clock rising edges only
Two output clocks (C and C#) for precise flight time
and clock skew matching-clock and data delivered together to receiving device
Internally self-timed write control
Clock-stop capability. Normal operation is restored in 20
μ
s after clock is resumed.
User programmable impedance output (35 to 70
Ω)
Fast clock cycle time : 3.3 ns (300 MHz), 4.0 ns (250 MHz)
Simple control logic for easy depth expansion
JTAG 1149.1 compatible test access port
R10DS0113EJ0200 Rev.2.00
Nov 09, 2012
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