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V56C1G01164MCJ-75

产品描述DDR DRAM, 64MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, BGA-60
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文件大小858KB,共43页
制造商ProMOS Technologies Inc
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V56C1G01164MCJ-75概述

DDR DRAM, 64MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, BGA-60

V56C1G01164MCJ-75规格参数

参数名称属性值
Objectid1385374900
包装说明TFBGA,
Reach Compliance Codecompliant
Country Of OriginMainland China
ECCN代码EAR99
YTEOL4.72
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间6 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PBGA-B60
长度10 mm
内存密度1073741824 bit
内存集成电路类型DDR2 DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量60
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
座面最大高度1.05 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度8 mm
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