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FQP27P06_SW82127

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小479KB,共8页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
标准
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FQP27P06_SW82127在线购买

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FQP27P06_SW82127概述

Transistor

FQP27P06_SW82127规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid4001120076
Reach Compliance Codecompliant
Country Of OriginMainland China
ECCN代码EAR99
Samacsys Manufactureronsemi
Samacsys Modified On2019-11-12 22:37:16
YTEOL5
雪崩能效等级(Eas)560 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)27 A
最大漏源导通电阻0.07 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)155 pF
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)120 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)108 A
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)260 ns
最大开启时间(吨)425 ns

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