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IRLR110TRRPBF

产品描述Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小76KB,共2页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
标准
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IRLR110TRRPBF概述

Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA,

IRLR110TRRPBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas)100 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)4.3 A
最大漏源导通电阻0.54 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)17 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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