IDT70T3519S133BFGI,IDT70T3519S133BFGI pdf中文资料,IDT70T3519S133BFGI引脚图,IDT70T3519S133BFGI电路-Datasheet-电子工程世界

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IDT70T3519S133BFGI: 产品描述Dual-Port SRAM, 256KX36, 15ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, GREEN, FPBGA-208; 产品类别存储存储; 文件大小390KB，共28页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

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IDT70T3519S133BFGI概述

Dual-Port SRAM, 256KX36, 15ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, GREEN, FPBGA-208

IDT70T3519S133BFGI规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	BGA
包装说明	LFBGA, BGA208,17X17,32
针数	208
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	15 ns
其他特性	PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-PBGA-B208
JESD-609代码	e1
长度	15 mm
内存密度	9437184 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	36
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	208
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	256KX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA
封装等效代码	BGA208,17X17,32
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	2.5,2.5/3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.7 mm
最大待机电流	0.02 A
最小待机电流	2.4 V
最大压摆率	0.45 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.4 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	15 mm
Base Number Matches	1

IDT70T3519S133BFGI相似产品对比

	IDT70T3519S133BFGI	IDT70T3519S200BCG	IDT70T3519S166BFG
描述	Dual-Port SRAM, 256KX36, 15ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, GREEN, FPBGA-208	Dual-Port SRAM, 256KX36, 10ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, GREEN, BGA-256	Dual-Port SRAM, 256KX36, 12ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, GREEN, FPBGA-208
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合
零件包装代码	BGA	BGA	BGA
包装说明	LFBGA, BGA208,17X17,32	LBGA, BGA256,16X16,40	LFBGA, BGA208,17X17,32
针数	208	256	208
Reach Compliance Code	compliant	compli	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	15 ns	10 ns	12 ns
其他特性	PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz	200 MHz	166 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	S-PBGA-B208	S-PBGA-B256	S-PBGA-B208
JESD-609代码	e1	e1	e1
长度	15 mm	17 mm	15 mm
内存密度	9437184 bit	9437184 bi	9437184 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	36	36	36
湿度敏感等级	3	3	3
功能数量	1	1	1
端口数量	2	2	2
端子数量	208	256	208
字数	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	70 °C	70 °C
组织	256KX36	256KX36	256KX36
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA	LBGA	LFBGA
封装等效代码	BGA208,17X17,32	BGA256,16X16,40	BGA208,17X17,32
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260
电源	2.5,2.5/3.3 V	2.5,2.5/3.3 V	2.5,2.5/3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.7 mm	1.7 mm	1.7 mm
最大待机电流	0.02 A	0.015 A	0.015 A
最小待机电流	2.4 V	2.4 V	2.4 V
最大压摆率	0.45 mA	0.525 mA	0.45 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.6 V	2.6 V	2.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.4 V	2.4 V	2.4 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	1 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30
宽度	15 mm	17 mm	15 mm
Base Number Matches	1	1	1
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	-	IDT (Integrated Device Technology)

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