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IRGKI140U06

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 170A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小49KB,共1页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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IRGKI140U06概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 170A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel

IRGKI140U06规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
包装说明FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7
Reach Compliance Codeunknown
其他特性CHOPPER SWITCH
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)170 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN CONFIGURABLE DIODE
门极发射器阈值电压最大值5.5 V
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-PUFM-X7
元件数量1
端子数量7
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值500 W
最大功率耗散 (Abs)500 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
VCEsat-Max2.7 V
Base Number Matches1

IRGKI140U06相似产品对比

IRGKI140U06 IRGTI115U06 IRGNI115U06 IRGKI115U06
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 170A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel Insulated Gate Bipolar Transistor, 130A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, Insulated Gate Bipolar Transistor, 130A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel Insulated Gate Bipolar Transistor, 130A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon )
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7 FLANGE MOUNT, R-MUFM-X7 FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
其他特性 CHOPPER SWITCH ULTRA FAST CHOPPER SWITCH CHOPPER SWITCH
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 170 A 130 A 130 A 130 A
集电极-发射极最大电压 600 V 600 V 600 V 600 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN CONFIGURABLE DIODE SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN CONFIGURABLE DIODE SINGLE WITH BUILT-IN CONFIGURABLE DIODE
门极发射器阈值电压最大值 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
门极-发射极最大电压 20 V 20 V 20 V 20 V
JESD-30 代码 R-PUFM-X7 R-MUFM-X7 R-PUFM-X4 R-PUFM-X7
元件数量 1 2 1 1
端子数量 7 7 4 7
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY METAL PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 500 W 379 W 379 W 379 W
最大功率耗散 (Abs) 500 W 379 W 379 W 379 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER UPPER UPPER
晶体管应用 POWER CONTROL POWER CONTROL POWER CONTROL POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
VCEsat-Max 2.7 V 2.8 V 2.8 V 2.8 V
Base Number Matches 1 1 1 -

 
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