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JANTXV2N3507L

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO-39, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小104KB,共2页
制造商Semicoa
官网地址http://www.snscorp.com/Semicoa.htm
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JANTXV2N3507L概述

Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO-39, 3 PIN

JANTXV2N3507L规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-39
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
JEDEC-95代码TO-5
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)1 W
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/349E
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)90 ns
最大开启时间(吨)45 ns
Base Number Matches1

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2N3507L
Silicon NPN Transistor
D a ta S h e e t
Description
SEMICOA offers:
Screening and processing per MIL-PRF-19500
Appendix E
JAN level (2N3507LJ)
JANTX level (2N3507LJX)
JANTXV level (2N3507LJV)
JANS level (2N3507LJS)
QCI to the applicable level
100% die visual inspection per MIL-STD-750 method
2072 for JANTXV and JANS
Radiation testing (total dose) upon request
Applications
General purpose switching transistor
Low power
NPN silicon transistor
Features
Please contact SEMICOA for special configurations
www.SEMICOA.com or (714) 979-1900
Hermetically sealed TO-5 metal can
Also available in chip configuration
Chip geometry 1506
Reference document:
MIL-PRF-19500/349
Benefits
Qualification Levels: JAN, JANTX,
JANTXV and JANS
Radiation testing available
T
C
= 25°C unless otherwise specified
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current, Continuous
Power Dissipation, T
A
= 25
O
C
Derate linearly above 25
O
C
Power Dissipation, T
C
= 25
O
C
Derate linearly above 25
O
C
Thermal Resistance
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
P
T
Rating
50
80
5
3
1
5.71
5
28.6
175
-65 to +200
Unit
Volts
Volts
Volts
A
W
mW/°C
W
mW/°C
°C/W
°C
R
θJA
T
J
T
STG
Copyright© 2007
Rev. E
SEMICOA
333 McCormick Avenue, Costa Mesa, California 92626 714.979.1900, FAX 714.557.4541
Page 1 of 2
www.SEMICOA.com

JANTXV2N3507L相似产品对比

JANTXV2N3507L JAN2N3507L JANS2N3507L JANTX2N3507L
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO-39, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO-39, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3 Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO-39, 3 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 TO-39 TO-39 TO-5 TO-39
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数 3 3 3 3
Reach Compliance Code compliant compli compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 3 A 3 A 3 A 3 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V 50 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 20 20 20 20
JEDEC-95代码 TO-5 TO-5 TO-5 TO-5
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 1 W 1 W 1 W 1 W
认证状态 Qualified Qualified Qualified Qualified
参考标准 MIL-19500/349E MIL-19500/349E MIL-19500/349 MIL-19500/349E
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
最大关闭时间(toff) 90 ns 90 ns 90 ns 90 ns
最大开启时间(吨) 45 ns 45 ns 45 ns 45 ns
Base Number Matches 1 1 1 1
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR - COLLECTOR

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