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JAN1N3666-2

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 80V V(RRM), Germanium,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小37KB,共1页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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JAN1N3666-2概述

Rectifier Diode, 1 Element, 80V V(RRM), Germanium,

JAN1N3666-2规格参数

参数名称属性值
厂商名称Microsemi
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料GERMANIUM
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.08 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压80 V
最大反向恢复时间0.3 µs
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1
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