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BCW61CRTA

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小47KB,共2页
制造商Diodes Incorporated
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BCW61CRTA概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

BCW61CRTA规格参数

参数名称属性值
厂商名称Diodes Incorporated
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.2 A
集电极-发射极最大电压32 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)180 MHz
最大关闭时间(toff)800 ns
最大开启时间(吨)150 ns
Base Number Matches1
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