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FRM9250H2

产品描述16A, 200V, 0.3ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小57KB,共1页
制造商Intersil ( Renesas )
官网地址http://www.intersil.com/cda/home/
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FRM9250H2概述

16A, 200V, 0.3ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

FRM9250H2规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid1407163654
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
YTEOL0
其他特性RADIATION HARDENED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (ID)16 A
最大漏源导通电阻0.3 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-204AA
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型P-CHANNEL
功耗环境最大值300 W
最大功率耗散 (Abs)150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)48 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
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