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BCP54L99Z

产品描述Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小41KB,共4页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
标准
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BCP54L99Z概述

Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin,

BCP54L99Z规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Fairchild
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)1.5 A
集电极-发射极最大电压45 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)25
JESD-30 代码R-PDSO-G4
元件数量1
端子数量4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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BCP54
Discrete POWER & Signal
Technologies
BCP54
C
E
C
B
SOT-223
NPN General Purpose Amplifier
This device is designed for general purpose medium power
amplifiers and switching circuits requiring collector currents
to 1.2 A. Sourced from Process 38.
Absolute Maximum Ratings*
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
stg
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
TA = 25°C unless otherwise noted
Parameter
Value
45
45
5.0
1.5
-55 to +150
Units
V
V
V
A
°C
Operating and Storage Junction Temperature Range
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Symbol
P
D
R
θJA
TA = 25°C unless otherwise noted
Characteristic
Total Device Dissipation
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Max
BCP54
1.5
12
83.3
Units
W
mW/°C
°C/W
ã
1997 Fairchild Semiconductor Corporation

 
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