MT46H4M32LFB5-5 IT:K,MT46H4M32LFB5-5 IT:K pdf中文资料,MT46H4M32LFB5-5 IT:K引脚图,MT46H4M32LFB5-5 IT:K电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> MT46H4M32LFB5-5 IT:K

文档预览

MT46H4M32LFB5-5 IT:K: 产品描述IC lpddr sdram 128mbit 90vfbga; 产品类别存储; 文件大小3MB，共94页; 制造商Micron(美光); 官网地址http://www.micron.com/; 标准

下载文档选型对比全文预览

MT46H4M32LFB5-5 IT:K概述

IC lpddr sdram 128mbit 90vfbga

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

128Mb: x16, x32 Mobile LPDDR SDRAM

Features

Mobile Low-Power DDR SDRAM

MT46H8M16LF – 2 Meg x 16 x 4 Banks

MT46H4M32LF – 1 Meg x 32 x 4 Banks

Features

• V

DDQ

= 1.70–1.95V

• Bidirectional data strobe per byte of data (DQS)

• Internal, pipelined double data rate (DDR) architec-

ture; two data accesses per clock cycle

• Differential clock inputs (CK and CK#)

• Commands entered on each positive CK edge

• DQS edge-aligned with data for READs; center-

aligned with data for WRITEs

• 4 internal banks for concurrent operation

• Data masks (DM) for masking write data; one mask

per byte

• Programmable burst lengths (BL): 2, 4, 8, or 16

• Concurrent auto precharge option is supported

• Auto refresh and self refresh modes

• 1.8V LVCMOS-compatible inputs

• Temperature-compensated self refresh (TCSR)

• Partial-array self refresh (PASR)

• Deep power-down (DPD)

• Status read register (SRR)

• Selectable output drive strength (DS)

• Clock stop capability

• 64ms refresh

Table 1: Key Timing Parameters (CL = 3)

Speed Grade

-5

-54

-6

-75

Clock Rate

200 MHz

185 MHz

166 MHz

133 MHz

Access Time

5.0ns

6.0ns

Options

• V

DDQ

– 1.8V/1.8V

• Configuration

– 8 Meg x 16 (2 Meg x 16 x 4

banks)

– 4 Meg x 32 (1 Meg x 32 x 4

banks)

• Row size option

– JEDEC-standard option

• Plastic "green" package

– 60-ball VFBGA (8mm x 9mm)

– 90-ball VFBGA (8mm x 13mm)

• Timing – cycle time

– 5ns @ CL = 3 (200 MHz)

– 5.4ns @ CL = 3 (185 MHz)

– 6ns @ CL = 3 (166 MHz)

– 7.5ns @ CL = 3 (133 MHz)

• Operating temperature range

– Commercial (0˚ to +70˚C)

– Industrial (–40˚C to +85˚C)

• Design revision

Notes:

Marking

8M16

4M32

-5

-54

-6

-75

None

1. Only available for x16 configuration.

2. Only available for x32 configuration.

PDF: 09005aef8331b3e9

128mb_mobile_ddr_sdram_t35m.pdf - Rev. F 03/10 EN

Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.

Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.

128Mb: x16, x32 Mobile LPDDR SDRAM

Features

Contents

General Description ......................................................................................................................................... 8

Functional Block Diagrams ............................................................................................................................... 9

Ball Assignments ............................................................................................................................................ 11

Ball Descriptions ............................................................................................................................................ 13

Package Dimensions ....................................................................................................................................... 15

Electrical Specifications .................................................................................................................................. 17

Electrical Specifications – I

Parameters ........................................................................................................ 20

Electrical Specifications – AC Operating Conditions ......................................................................................... 24

Output Drive Characteristics ........................................................................................................................... 29

Functional Description ................................................................................................................................... 32

Commands .................................................................................................................................................... 33

DESELECT ................................................................................................................................................. 34

NO OPERATION ......................................................................................................................................... 34

LOAD MODE REGISTER ............................................................................................................................. 34

ACTIVE ...................................................................................................................................................... 34

READ ......................................................................................................................................................... 35

WRITE ....................................................................................................................................................... 36

PRECHARGE .............................................................................................................................................. 37

BURST TERMINATE ................................................................................................................................... 38

AUTO REFRESH ......................................................................................................................................... 38

SELF REFRESH ........................................................................................................................................... 39

DEEP POWER-DOWN ................................................................................................................................. 39

Truth Tables ................................................................................................................................................... 40

State Diagram ................................................................................................................................................ 45

Initialization .................................................................................................................................................. 46

Standard Mode Register .................................................................................................................................. 49

Burst Length .............................................................................................................................................. 50

Burst Type .................................................................................................................................................. 50

CAS Latency ............................................................................................................................................... 51

Operating Mode ......................................................................................................................................... 52

Extended Mode Register ................................................................................................................................. 53

Temperature-Compensated Self Refresh ...................................................................................................... 53

Partial-Array Self Refresh ............................................................................................................................ 54

Output Drive Strength ................................................................................................................................ 54

Status Read Register ....................................................................................................................................... 55

Bank/Row Activation ...................................................................................................................................... 57

READ Operation ............................................................................................................................................. 58

WRITE Operation ........................................................................................................................................... 69

PRECHARGE Operation .................................................................................................................................. 81

Auto Precharge ............................................................................................................................................... 81

Concurrent Auto Precharge ......................................................................................................................... 82

AUTO REFRESH Operation ............................................................................................................................. 87

SELF REFRESH Operation ............................................................................................................................... 88

Power-Down .................................................................................................................................................. 89

Deep Power-Down ..................................................................................................................................... 91

Clock Change Frequency ................................................................................................................................ 93

Revision History ............................................................................................................................................. 94

Rev. F, Production – 02/10 ........................................................................................................................... 94

Rev. E, Production – 8/09 ............................................................................................................................ 94

Rev. D, Production – 04/09 .......................................................................................................................... 94

PDF: 09005aef8331b3e9

128mb_mobile_ddr_sdram_t35m.pdf - Rev. F 03/10 EN

Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.

128Mb: x16, x32 Mobile LPDDR SDRAM

Features

List of Tables

Table 1: Key Timing Parameters (CL = 3) ........................................................................................................... 1

Table 2: Configuration Addressing ................................................................................................................... 2

Table 3: Ball Descriptions .............................................................................................................................. 13

Table 4: Absolute Maximum Ratings .............................................................................................................. 17

Table 5: AC/DC Electrical Characteristics and Operating Conditions ............................................................... 17

Table 6: Capacitance (x16, x32) ...................................................................................................................... 19

Table 7: I

Specifications and Conditions (x16) ............................................................................................. 20

Table 8: I

Specifications and Conditions (x32) ............................................................................................. 21

Table 9: I

6 Specifications and Conditions ................................................................................................... 22

Table 10: Electrical Characteristics and Recommended AC Operating Conditions ............................................ 24

Table 11: Target Output Drive Characteristics (Full Strength) ........................................................................... 29

Table 12: Target Output Drive Characteristics (Three-Quarter Strength) .......................................................... 30

Table 13: Target Output Drive Characteristics (One-Half Strength) .................................................................. 31

Table 14: Truth Table – Commands ................................................................................................................ 33

Table 15: DM Operation Truth Table .............................................................................................................. 34

Table 16: Truth Table – Current State Bank

– Command to Bank

................................................................ 40

Table 17: Truth Table – Current State Bank

– Command to Bank

............................................................... 42

Table 18: Truth Table – CKE ........................................................................................................................... 44

Table 19: Burst Definition Table ..................................................................................................................... 50

PDF: 09005aef8331b3e9

128mb_mobile_ddr_sdram_t35m.pdf - Rev. F 03/10 EN

Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.

MT46H4M32LFB5-5 IT:K相似产品对比

	MT46H4M32LFB5-5 IT:K	MT46H8M16LFBF-5:K	MT46H8M16LFBF-5:K TR	MT46H4M32LFB5-5 IT:K TR
描述	IC lpddr sdram 128mbit 90vfbga	IC lpddr sdram 128mbit 60vfbga	IC lpddr sdram 128mbit 60vfbga	IC lpddr sdram 128mbit 90vfbga

推荐资源

6B595驱动的LED显示电路设计（共阳）

请教大家CE驱动开发的流程~~: 偶最近一个月才接触CE，之前一直做应用程序开发的。发现CE文件目录错综复杂，一时间没有头绪，望高手能指点一二，谢了！...; icdragon 嵌入式系统

OEMIocontrol 中编写case IOCTL_GET_CACHE_INFO不知如何解决错误?: 不太会编代码，参考别的代码硬着头皮写了个case.问题较多 Line 250 case IOCTL_GET_CACHE_INFO: if(!lpOutBuf||(nOutBufSize < sizeof(CacheInfo))){ SetLastError(ERROR_I ......; jansionchang 嵌入式系统

【拓普微智能显示模块】之四：综合测评之文本滚动，RTC等: 拓普微智能显示模块具有强大的文本显示能力，静态字符串，动态字符串，中英文切换。显示字符串如下设计：第一步：创建 VP 变量 ○1 工程资源栏中右击"字符串变量" ○2 选择" ......; 杨左使测试/测量

监控高手和大侠们，监控如何来做预置位: 监控高手和大侠们，我这个监控如何来做预置点呢？那个做过的，请教一下可行？说明书上的步骤如下：开关到PROG位置；调整云台，镜头获得场景；通过键盘输入该预置点的设定序号？？？？见问 ......; zzzz_bb 工业自动化与控制

简单的EVC控件应用问题：滑动条，编辑框。: 如何设计滑动条范围：0－255？如何设计编辑框范围：0－255？使得编辑框对应成员变量m-red？上面的设计都怎么完成啊，我怎么找不到设置的地方呢？那位高手帮忙指点下，先谢了◎！...; heanjun211 嵌入式系统

义隆: 谁了解义隆的单片机啊（EM78P156E）！！能否给点编程的经验啊！！...; yangushi 嵌入式系统

基于Nios II的MRI脊柱图像分割系统

一. 设计概述　　1. 设计意图　　迅速发展的医学影像技术不断的推动现代医学进步，CT、MRI、PET广泛地应用与临床诊断分析，其作用已经从人体组织器官解剖结构的非侵入检查和可视化，发展成一种用于手术计划和仿真、手术导航、放疗计划和跟踪病灶变化的基本工具，从医学图象中分割出解剖结构并构造出形状地集合表达。　　MR脊柱图像分割的研究对于医学图象的计算机辅助识别及神经病理学的临...[详细]
北航教授:超高频RFID关键技术需突破

射频识别（RFID）是一种利用射频技术实现的非接触式自动识别技术，它具有体积小、容量大、寿命长、可重复使用等特点，可支持快速读写、非可视识别、移动识别、多目标识别、定位及长期跟踪管理，因此在物流、制造、零售等领域都拥有巨大的市场。在我国RFID技术已经成功应用于铁路列车管理、危险物品管理、动物管理等场合。而超高频RFID是我国相关部门和专家最关注的RFID技术，是今年863重大专项,也是各大...[详细]
Intel CEO:收入激增受益于全球芯片销量

　　英特尔公司的首席执行官10日声称，公司第二季度良好表现受益于全球芯片销量的强劲增长。　　综合外电7月10日报道，英特尔公司（IntelCorp）首席执行官保罗·欧德宁(PaulOtellini)10日声称，公司正在从国外强劲增长的芯片销售中获益。他认为英特尔公司不同于美国其他公司之处在于英特尔公司75％的收入并不是来自美国，公司的足迹遍及全球。全球市场对公司产品的需求确实非常强劲。　...[详细]
未来几年忆阻器发展将迎来黄金时期

　　电子电路理论中的第四种无源元件——忆阻器（Memristor），通过控制衬底（基片）材料有望在2009年制作出一种新的存储器，从而向制造原型迈进了一大步。　　4月，HP Labs的研究者声称他们已经制造出忆阻器，加州大学伯克利分校的蔡少棠教授在1971年的一篇论文中，假定其为第四种无源元件，其他三种则是电阻器、电容器和电感器。如今，HP Labs声称他们已经证实了怎样控制忆阻器材料，它会...[详细]
未来可挽救生命或改善生命质量的新技术

　　毫无疑问，科学注定将改善并丰富人类的生命体验。微机电系统(MEMS)、微流体技术、纳米技术、实验室级芯片(lab-on-a-chip)器件、数字信号处理器(DSP)、可植入基因芯片和机器人等所有这些技术都将被整合在一起以捍卫我们的健康。它促成了一个技术新纪元的到来，其中，电子工程师、化学家和化学工程师、生物学家和生物工程师、医生、伦理学家、物理学家和机械工程师携手并肩，共襄改善生命质量这一...[详细]
设计工程师们缔造医学奇迹

　　伊拉克战场退伍的老兵因为战场路边的手雷炸丢了手臂, 他们期盼着能像正常人一样行动；中风患者期望麻痹的肢体能再次复员；外科医生试图找到安全的办法来给活人的心脏实施手术…… 　　设计工程师们同医学专家合作, 使用尖端的运动系统共同设计解决这些难题的方法。例如约翰霍普金斯大学的工程设计师们正在进行领先世界的仿生手臂的研究。　　在马萨诸塞州，两位年轻的麻省理工毕业的工程师设计了一种马达支架能够让中风...[详细]
画中画技术在车载娱乐系统中的应用(图)

　　随着汽车产业的发展，汽车信息系统的复杂性和信息密度在日益上升，显示器不再仅仅是基本的集中仪表显示，而是要满足越来越详细和多样化的车内信息显示需求。汽车显示系统已经从传统的纯音频，如MP3、CD演变成了集成GPS导航、影音娱乐的综合显示系统。显示的内容通常包括：GPS地图信息、DVD播放、数字广播电视和倒车画面等。对于如此多的显示信息，通常需要配备多个显示器，或者用一个视频开关在不同信号间进行...[详细]
2008北京奥运提升测试测量市场

　　一直以来，测试测量成为众多科技突破在背后默默的守护者。中国探月计划的成功，测试技术在全国人民面前展示了自己的实力；WiMax获批为3G标准，测试技术功不可没；高速数据传输技术的突破，测试技术提供了强有力的支持…… 　　2008年，北京奥运会和TD-SCDMA正式运营将成为中国测试市场增长重要促进力量。伴随着奥运会的临近，从电子计时到兴奋剂检测，从场馆建设到赛场安保，从数据传输到媒体服务，...[详细]
北京“急救信息平台”奥运会期间亮相

　　7月17日，由北京市科委、北京市卫生局合作的北京重大科技成果“急救信息平台”正式在人民医院启动，这套系统将先期装载在50辆999急救车上，并首先为奥运会和残奥会服务，将在北京的紧急医疗救助保障中广泛使用。今后，救护车还行驶在路上的时候，就可以把患者的生命体征等信息传输到医院，医院立即准备人员和设备抢救病人。这样一套远程急救信息平台大大缩短了抢救患者生命的时间。　　“采用现场急救人员、...[详细]
QuickLogic的SDIO 配置多个不同记忆卡

2008 年 7 月 22 日， QuickLogic® 公司宣布，可以提供配备多个、独立记忆卡能力的强化已验证 SDIO 主控制器解决方案。强化主控制器解决方案作为 QuickLogic 的 CSSP 产品的验证系统模块之一，专门针对手持式系统设计。日前，首款配置了四张独立记忆卡。 QuickLogic 还可根据客户需求，为 PSB 配置更多记忆卡...[详细]
富士通推出AUTOSAR 2.1标准的汽车板载MCU驱动

富士通微电子宣布推出用于其MB91460系列高性能32位汽车微控制器的新型微控制器驱动。这款驱动由富士通微电子和芬兰的伊莱比特公司共同研发，符合汽车软件标准组织AUTOSAR联盟制定的汽车开放软件架构标准AUTOSAR 2.1(*1)。两家公司自2008年7月18日开始供应这款驱动。配合使用富士通微电子的微控制器，这款驱动不仅帮助客户提高汽车板载应用的代码复用性，还能提高汽车软件的开发效率...[详细]
高清USB电视棒产品开创移动高清“芯”视界

一种全新的与PC相配的数字电视接收产品——USB高清收视棒，将在风靡香港、北京两地市场以后，于7月26日抵沪与上海市民见面。高清USB电视棒是一个超级便携的数码产品，仅U盘大小，如同一个可随身携带的“高清电视机”，具有“随时随地收看”“高清收看”“录制后反复收看”的特点。据介绍,CCTV中视购物已经开始面向全国销售爱国者品牌的USB高清电视棒产品。作为奥运城市之一，上海已于200...[详细]
做跨国公司中的“小巨人”——ARM的成长

1990年11月，一位名叫Robin Saxby的英国人带着由Acorn电脑集团提供的技术和最初的12名工程师，借以苹果电脑和VLSI Technology公司出资，开始创业历程。1991年他们便成功地研制出首个低成本RISC结构体系，且被应用于苹果电脑正在开发的PDA上，这也印证了该公司的取名“Advanced RISC Machines”（简称ARM）。打开市场 “最初的窘态...[详细]
基于I2C总线的处理器的联网设计方案

　　随着微控制器的价格越来越低，功能越来越强大，电气设计人员发现在单板和多板系统中都使用多个小型控制器是一种更加经济高效的方法。这种辅助处理器能够减轻主处理器在耗时任务上面的处理开销，例如扫描键盘、显示控制器和电机控制。这些控制器也可以配置为各种各样的专用外设。　　最近，我接受了一项任务：开发一种能够方便地适用于多种应用的接口(软/硬件)，且要符合嵌入式处理器中常用的行业标准。在分析了一些典...[详细]
锂离子电池智能充电器硬件的设计

　　锂离子电池具有较高的能量重量和能量体积比，无记忆效应，可重复充电次数多，使用寿命长，价格也越来越低。一个良好的充电器可使电池具有较长的寿命。利用C8051F310单片机设计的智能充电器，具有较高的测量精度，可很好的控制充电电流的大小，适时的调整，并可根据充电的状态判断充电的时间，及时终止充电，以避免电池的过充。　　本文讨论使用C8051F310器件设计锂离子电池充电器的。利用PWM脉宽调...[详细]

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多