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BF1005E6327

产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小103KB,共4页
制造商SIEMENS
官网地址http://www.infineon.com/
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BF1005E6327概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

BF1005E6327规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压12 V
最大漏极电流 (ID)0.025 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G4
元件数量1
端子数量4
工作模式DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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