tvs diode 18vwm 29.2vc do218ab
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 零件包装代码 | DO-218 |
| 包装说明 | R-PSSO-C1 |
| 针数 | 1 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | HIGH RELIABILITY |
| 最大击穿电压 | 22.1 V |
| 最小击穿电压 | 20 V |
| 击穿电压标称值 | 21.05 V |
| 外壳连接 | ANODE |
| 最大钳位电压 | 29.2 V |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JEDEC-95代码 | DO-218AB |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-C1 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散 | 3600 W |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 1 |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性 | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散 | 6 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 18 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | AVALANCHE |
| 端子面层 | Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式 | C BEND |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| Base Number Matches | 1 |
| SM6S18AHE3/2D | SM6S11AHE3/2D | SM6S20AHE3/2D | SM6S13AHE3/2D | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | tvs diode 18vwm 29.2vc do218ab | tvs diode 11vwm 18.2vc do218ab | tvs diode 20vwm 32.4vc do218ab | tvs diode 13vwm 21.5vc do218ab |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 零件包装代码 | DO-218 | DO-218 | DO-218 | DO-218 |
| 包装说明 | R-PSSO-C1 | R-PSSO-C1 | R-PSSO-C1 | R-PSSO-C1 |
| 针数 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknow | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY |
| 最大击穿电压 | 22.1 V | 13.5 V | 24.5 V | 15.9 V |
| 最小击穿电压 | 20 V | 12.2 V | 22.2 V | 14.4 V |
| 击穿电压标称值 | 21.05 V | 12.85 V | 23.35 V | 15.15 V |
| 外壳连接 | ANODE | ANODE | ANODE | ANODE |
| 最大钳位电压 | 29.2 V | 18.2 V | 32.4 V | 21.5 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
| 二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JEDEC-95代码 | DO-218AB | DO-218AB | DO-218AB | DO-218AB |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-C1 | R-PSSO-C1 | R-PSSO-C1 | R-PSSO-C1 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散 | 3600 W | 3600 W | 3600 W | 3600 W |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | 175 °C | 175 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 | 260 | 260 |
| 极性 | UNIDIRECTIONAL | UNIDIRECTIONAL | UNIDIRECTIONAL | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散 | 6 W | 6 W | 6 W | 6 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 18 V | 11 V | 20 V | 13 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
| 技术 | AVALANCHE | AVALANCHE | AVALANCHE | AVALANCHE |
| 端子面层 | Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrie | Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式 | C BEND | C BEND | C BEND | C BEND |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | 40 | 40 | 40 |
| 厂商名称 | - | Vishay(威世) | Vishay(威世) | Vishay(威世) |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
