Synchronous DRAM, 4MX32, 6ns, CMOS, PBGA90
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
Objectid | 104351591 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
YTEOL | 2 |
最长访问时间 | 6 ns |
最大时钟频率 (fCLK) | 133 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
交错的突发长度 | 1,2,4,8 |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B90 |
内存密度 | 134217728 bit |
内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM |
内存宽度 | 32 |
端子数量 | 90 |
字数 | 4194304 words |
字数代码 | 4000000 |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | -25 °C |
组织 | 4MX32 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | FBGA |
封装等效代码 | BGA90,9X15,32 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, FINE PITCH |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 4096 |
连续突发长度 | 1,2,4,8,FP |
最大待机电流 | 0.0005 A |
最大压摆率 | 0.16 mA |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | OTHER |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM |
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