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2N1984

产品描述6 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小573KB,共3页
制造商Central Semiconductor
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2N1984概述

6 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39

2N1984规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-39
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数3
Reach Compliance Code_compli
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压25 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)35
JEDEC-95代码TO-39
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.6 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)40 MHz
Base Number Matches1
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