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W3EG6437S403D4S

产品描述DDR DRAM Module, 32MX64, 0.7ns, CMOS, SO-DIMM-200
产品类别存储    存储   
文件大小300KB,共12页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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W3EG6437S403D4S概述

DDR DRAM Module, 32MX64, 0.7ns, CMOS, SO-DIMM-200

W3EG6437S403D4S规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid1650365751
包装说明DIMM,
Reach Compliance Codeunknown
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间0.7 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-XDMA-N200
内存密度2147483648 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量200
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32MX64
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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