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EDI411024C70ZM

产品描述Fast Page DRAM, 1MX1, 70ns, CMOS, CZIP20,
产品类别存储    存储   
文件大小513KB,共14页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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EDI411024C70ZM概述

Fast Page DRAM, 1MX1, 70ns, CMOS, CZIP20,

EDI411024C70ZM规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid102617003
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
YTEOL0
最长访问时间70 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-XZIP-T20
JESD-609代码e0
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度1
端子数量20
字数1048576 words
字数代码1000000
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织1MX1
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码ZIP
封装等效代码ZIP20,.1
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
认证状态Not Qualified
刷新周期512
最大待机电流0.0005 A
最大压摆率0.08 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距1.27 mm
端子位置ZIG-ZAG

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