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NM1621J35

产品描述IC,SRAM,16KX4,CMOS,DIP,22PIN,CERAMIC
产品类别存储    存储   
文件大小524KB,共10页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数

NM1621J35概述

IC,SRAM,16KX4,CMOS,DIP,22PIN,CERAMIC

NM1621J35规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid1435295567
包装说明DIP, DIP22,.3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
YTEOL0
最长访问时间35 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDIP-T22
JESD-609代码e0
内存密度65536 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度4
端子数量22
字数16384 words
字数代码16000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16KX4
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP22,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.000035 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.09 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
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