Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| Objectid | 107069038 |
| 包装说明 | FBGA, BGA90,9X15,32 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| YTEOL | 0 |
| 最长访问时间 | 5.4 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 133 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| 交错的突发长度 | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B90 |
| 内存密度 | 134217728 bit |
| 内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度 | 32 |
| 端子数量 | 90 |
| 字数 | 4194304 words |
| 字数代码 | 4000000 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -25 °C |
| 组织 | 4MX32 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | FBGA |
| 封装等效代码 | BGA90,9X15,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, FINE PITCH |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 4096 |
| 连续突发长度 | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流 | 0.0005 A |
| 最大压摆率 | 0.12 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
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