DDR DRAM, 32MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| Objectid | 1125504917 |
| 包装说明 | TSSOP, TSSOP66,.46 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| YTEOL | 0 |
| 最长访问时间 | 0.75 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 133 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| 交错的突发长度 | 2,4,8 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G66 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 134217728 bit |
| 内存集成电路类型 | DDR1 DRAM |
| 内存宽度 | 4 |
| 端子数量 | 66 |
| 字数 | 33554432 words |
| 字数代码 | 32000000 |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 32MX4 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSSOP |
| 封装等效代码 | TSSOP66,.46 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 4096 |
| 连续突发长度 | 2,4,8 |
| 最大待机电流 | 0.003 A |
| 最大压摆率 | 0.28 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.635 mm |
| 端子位置 | DUAL |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
