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M29W256GH60ZA3E

产品描述Flash, 16MX16, 60ns, PBGA64, 10 X 13 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TBGA-64
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共89页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准
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M29W256GH60ZA3E概述

Flash, 16MX16, 60ns, PBGA64, 10 X 13 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TBGA-64

M29W256GH60ZA3E规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid1243200484
包装说明TBGA,
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
YTEOL0
最长访问时间60 ns
备用内存宽度8
启动块BOTTOM/TOP
JESD-30 代码R-PBGA-B64
长度13 mm
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
端子数量64
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
组织16MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
编程电压3 V
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
类型NOR TYPE
宽度10 mm

文档预览

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256Mb: 3V Embedded Parallel NOR Flash
Features
Parallel NOR Flash Embedded Memory
M29W256GH, M29W256GL
Features
• Supply voltage
– V
CC
= 2.7–3.6V (program, erase, read)
– V
CCQ
= 1.65–3.6V (I/O buffers)
– V
PPH
= 12V for fast program (optional)
• Asynchronous random/page read
– Page size: 8words or 16 bytes
– Page access: 25, 30ns
– Random access: 60ns
1
, 70, 80ns
• Fast program commands: 32-word (64-byte) write
buffer
• Enhanced buffered program commands: 256-word
• Program time
– 16µs per byte/word TYP
– Chip program time: 10s with V
PPH
and 16s with-
out V
PPH
• Memory organization
– Uniform blocks: 256 main blocks, 128-Kbytes or
64-Kwords each
• Program/erase controller
– Embedded byte/word program algorithms
• Program/erase suspend and resume capability
– Read from any block during a PROGRAM SUS-
PEND operation
– Read or program another block during an ERASE
SUSPEND operation
• Unlock bypass, block erase, chip erase, write to buf-
fer and program
– Fast buffered/batch programming
– Fast block/chip erase
• V
PP
/WP# pin protection
– Protects first or last block regardless of block
protection settings
• Software protection
– Volatile protection
– Nonvolatile protection
– Password protection
• Extended memory block
– 128-word (256-byte) memory block for perma-
nent, secure identification
– Programmed or locked at the factory or by the
customer
• Common flash interface
– 64-bit security code
• Low power consumption: Standby and automatic
mode
• JESD47H-compliant
– 100,000 minimum PROGRAM/ERASE cycles per
block
– Data retention: 20 years (TYP)
• 65nm single-level cell (SLC) process technology
• Fortified BGA, TBGA, and TSOP packages
• Green packages available
– RoHS-compliant
– Halogen-free
• Automotive device grade (6): temperature –40°C to
+85°C (automotive grade certified)
• Automotive device grade (3): temperature –40°C to
+125°C (automotive grade certified)
Note:
1. The 60ns device is available upon customer
request.
PDF: 09005aef84bd3b68
m29w_256mb.pdf - Rev. B 5/13 EN
1
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
©
2013 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
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