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MK51DN512ZVMD10R

产品描述FLASH, 100MHz, MICROCONTROLLER, PBGA144
产品类别嵌入式处理器和控制器    微控制器和处理器   
文件大小1MB,共78页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
下载文档 详细参数 全文预览 文档解析

MK51DN512ZVMD10R概述

FLASH, 100MHz, MICROCONTROLLER, PBGA144

MK51DN512ZVMD10R规格参数

参数名称属性值
Objectid4000160191
包装说明13 X 13 MM, ROHS COMPLIANT, MAPBGA-144
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.A.2
YTEOL8.11
具有ADCYES
地址总线宽度
位大小32
最大时钟频率50 MHz
DAC 通道YES
DMA 通道YES
外部数据总线宽度
JESD-30 代码S-PBGA-B144
长度13 mm
端子数量144
最高工作温度105 °C
最低工作温度-40 °C
PWM 通道YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY
ROM可编程性FLASH
速度100 MHz
最大供电电压3.6 V
最小供电电压1.71 V
标称供电电压3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子位置BOTTOM
宽度13 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型MICROCONTROLLER

文档解析

这份文档是关于K51系列微控制器的数据手册,提供了详细的技术信息和规格参数,以下是一些值得关注的技术信息:

  1. 微控制器家族和型号

    • 文档编号:K51P100M100SF2V2
    • 支持的型号包括MK51DX256CLL10和MK51DN512CLL10。
  2. 操作特性

    • 电压范围:1.71至3.6伏特。
    • Flash写入电压范围:1.71至3.6伏特。
    • 工作温度范围:-40至85摄氏度。
  3. 性能

    • 基于ARM Cortex-M4核心,最高频率100 MHz,并包含DSP指令,提供1.25 Dhrystone MIPS每MHz的性能。
  4. 存储器和存储器接口

    • 非FlexMemory设备上最多512 KB的程序Flash存储器。
    • FlexMemory设备上最多256 KB的程序Flash存储器。
    • FlexMemory设备上最多256 KB的FlexNVM。
    • FlexMemory设备上最多4 KB的FlexRAM。
    • 最多128 KB的RAM。
  5. 时钟系统

    • 3至32 MHz的晶振振荡器。
    • 32 kHz的晶振振荡器。
    • 多用途时钟发生器。
  6. 系统外设

    • 多种低功耗模式,以满足应用需求。
    • 具有多主保护的存储器保护单元。
    • 16通道DMA控制器,支持最多63个请求源。
  7. 安全和完整性模块

    • 硬件CRC模块,支持快速循环冗余检查。
    • 每个芯片具有128位的唯一识别号。
  8. 人机界面

    • 支持多达40个前面板和8个后面板或44个前面板和4个后面板的段式LCD控制器。
    • 低功耗硬件触摸传感器接口(TSI)。
  9. 模拟模块

    • 两个16位SAR ADC。
    • 每个ADC集成了可编程增益放大器(PGA),增益高达64倍。
    • 两个12位DAC。
    • 两个运算放大器。
    • 三个包含6位DAC和可编程参考输入的模拟比较器(CMP)。
  10. 定时器

    • 可编程延迟块。
    • 八通道电机控制/通用/PWM定时器。
    • 两个2通道正交解码器/通用定时器。
    • 周期性中断定时器。
    • 16位低功耗定时器。
  11. 通信接口

    • USB全速/低速OTG控制器,带片上收发器。
    • 三个SPI模块。
    • 两个I2C模块。
    • 五个UART模块。
    • 安全数字主机控制器(SDHC)。
    • I2S模块。
  12. 封装信息

    • 提供了详细的引脚分配和封装尺寸信息。
  13. 修订历史

    • 文档的修订历史,包括日期和主要变更。
  14. 法律声明

    • 有关Freescale Semiconductor的版权和商标信息,以及免责声明。

 
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