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W3J512M40K-800B3I

产品描述DDR DRAM, 512MX40, CMOS, PBGA204, 10 X 14.50 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, BGA-204
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制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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W3J512M40K-800B3I概述

DDR DRAM, 512MX40, CMOS, PBGA204, 10 X 14.50 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, BGA-204

W3J512M40K-800B3I规格参数

参数名称属性值
Objectid1954507182
包装说明FBGA,
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式SINGLE BANK PAGE BURST
其他特性AUTO/SELF REFRESH; LG-MAX; WD-MAX; SEATED HT-CALCULATED
JESD-30 代码R-PBGA-B204
长度14.6 mm
内存密度21474836480 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度40
功能数量1
端口数量1
端子数量204
字数536870912 words
字数代码512000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512MX40
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
座面最大高度4.1 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.45 V
最小供电电压 (Vsup)1.283 V
标称供电电压 (Vsup)1.35 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度10.1 mm

 
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