Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-63, Metal, 3 Pin
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
Objectid | 4016596144 |
Reach Compliance Code | compliant |
Country Of Origin | USA |
YTEOL | 4.99 |
最大集电极电流 (IC) | 10 A |
集电极-发射极最大电压 | 100 V |
最小直流电流增益 (hFE) | 25 |
JEDEC-95代码 | TO-63 |
JESD-30 代码 | O-MUPM-D3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | POST/STUD MOUNT |
极性/信道类型 | PNP |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | SOLDER LUG |
端子位置 | UPPER |
晶体管元件材料 | SILICON |
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