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SM564048004X3G7

产品描述DRAM
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文件大小234KB,共25页
制造商SMART Modular Technology Inc
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SM564048004X3G7概述

DRAM

SM564048004X3G7规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
Base Number Matches1

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SMART
Features
®
SM5640480UUXUGU
July 14, 1997
Modular Technologies
32MByte (4M x 64) DRAM Module - 2Mx8 based
168-pin DIMM, Buffered
Part Numbers
SM56404800UXUGU
SM56404801UXUGU
SM56404808UXUGU
SM56404809UXUGU
:
:
:
:
Standard
:
JEDEC
Configuration
:
Non-parity
Access Time
:
60/70/80ns
Operation Mode
:
FPM/EDO
Operating Voltage :
3.3/5.0V
Refresh
:
2K/4K
Device Physicals
:
300/400mil SOJ/TSOP
Lead Finish
:
Gold
Length x Height
:
5.250" x 1.000"
No. of sides
:
Double-sided
Mating Connector (Examples)
Vertical
:
AMP-390052-1 (5.0V)/390052-4 (3.3V)
FPM, 5.0V
FPM, 3.3V
EDO, 5.0V
EDO, 3.3V
Note: Refer last page for all "U” options.
Related Products
SM5640440UUXUGU
:
4Mx64,
4Mx4 based.
Functional Diagram
CAS0#
CAS1#
CAS2#
CAS3#
WE0#
OE0#
A0#
RAS0#
CAS4#
CAS5#
CAS6#
CAS7#
WE2#
OE2#
B0#
RAS2#
2Mx32
Block
2Mx32
Block
2Mx32
Block
2Mx32
Block
RAS1#
DQ0~DQ31
DQ32~DQ63
RAS1#
DQ0~DQ63
Notes : 1. A0~A10/A11 are connected to all DRAMs through buffers
(A10 & A11 are NC for 2K refresh module).
2. All signals including PDs (with exception of RAS#, Data and IDs) are buffered.
3. Each 2Mx32 Block comprises of four 2Mx8 DRAMs.
( All specifications of this device are subject to change without notice.)
C
orporate Headquarters:
4305 Cushing Pkwy., Fremont, CA 94538, USA • Tel:(510) 623-1231 • Fax:(510) 623-1434 • E-mail: info@smartm.com
V
CC
V
SS
Decoupling capacitors
to all devices.
Europe:
36 Linford Forum, Rockingham Dr., Linford Wood, Milton Keynes, MK14 6LY, UK • Tel: + 44-1908 234030 • Fax: + 44-1908-234191
Asia/Pacific:
Suite 6A, 64 Canning Hwy., Victoria Park, Perth, WA 6106, Australia • Tel: + 61-9-361-9705 • Fax: + 61-9-361-9715
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