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MAR9167C35CS

产品描述Standard SRAM, 16KX1, 35ns, CMOS, CDIP24,
文件大小644KB,共15页
制造商Plessey Semiconductors Ltd
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MAR9167C35CS概述

Standard SRAM, 16KX1, 35ns, CMOS, CDIP24,

MAR9167C35CS规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid101183129
包装说明DIP, DIP24,.6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间35 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-XDIP-T24
JESD-609代码e0
内存密度16384 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度1
端子数量24
字数16384 words
字数代码16000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织16KX1
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP24,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
筛选级别38535V;38534K;883S
最大待机电流0.002 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.008 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
总剂量100k Rad(Si) V
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