EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOJ-26/24
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) |
| 零件包装代码 | SOJ |
| 包装说明 | SOJ, SOJ24/26,.34 |
| 针数 | 24 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | FAST PAGE WITH EDO |
| 最长访问时间 | 50 ns |
| 其他特性 | CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-J24 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 17.145 mm |
| 内存密度 | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型 | EDO DRAM |
| 内存宽度 | 4 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 24 |
| 字数 | 4194304 words |
| 字数代码 | 4000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 4MX4 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOJ |
| 封装等效代码 | SOJ24/26,.34 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 2048 |
| 座面最大高度 | 3.56 mm |
| 自我刷新 | NO |
| 最大待机电流 | 0.0005 A |
| 最大压摆率 | 0.12 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| IS41LV44002B-50JLI | IS41LV44002B-50JI | IS41LV44002B-50TI | IS41LV44002B-50TL | IS41LV44002B-50TLI | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOJ-26/24 | EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24 | EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, MS-25, TSOP2-26/24 | EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, LEAD FREE, MS-25, TSOP2-26/24 | EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, LEAD FREE, MS-25, TSOP2-26/24 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 不符合 | 不符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) |
| 零件包装代码 | SOJ | SOJ | TSOP2 | TSOP2 | TSOP2 |
| 包装说明 | SOJ, SOJ24/26,.34 | 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24 | MS-25, TSOP2-26/24 | TSOP2, TSOP24/26,.36 | TSOP2, TSOP24/26,.36 |
| 针数 | 24 | 24 | 26 | 26 | 26 |
| Reach Compliance Code | compliant | unknown | unknown | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 访问模式 | FAST PAGE WITH EDO | FAST PAGE WITH EDO | FAST PAGE WITH EDO | FAST PAGE WITH EDO | FAST PAGE WITH EDO |
| 最长访问时间 | 50 ns | 50 ns | 50 ns | 50 ns | 50 ns |
| 其他特性 | CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-J24 | R-PDSO-J24 | R-PDSO-G24 | R-PDSO-G24 | R-PDSO-G24 |
| JESD-609代码 | e3 | e0 | e0 | e3 | e3 |
| 长度 | 17.145 mm | 17.145 mm | 17.14 mm | 17.14 mm | 17.14 mm |
| 内存密度 | 16777216 bit | 16777216 bit | 16777216 bit | 16777216 bit | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型 | EDO DRAM | EDO DRAM | EDO DRAM | EDO DRAM | EDO DRAM |
| 内存宽度 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 |
| 湿度敏感等级 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 24 | 24 | 24 | 24 | 24 |
| 字数 | 4194304 words | 4194304 words | 4194304 words | 4194304 words | 4194304 words |
| 字数代码 | 4000000 | 4000000 | 4000000 | 4000000 | 4000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 70 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C | - | -40 °C |
| 组织 | 4MX4 | 4MX4 | 4MX4 | 4MX4 | 4MX4 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOJ | SOJ | TSOP2 | TSOP2 | TSOP2 |
| 封装等效代码 | SOJ24/26,.34 | SOJ24/26,.34 | TSOP24/26,.36 | TSOP24/26,.36 | TSOP24/26,.36 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | 260 | 260 |
| 电源 | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 刷新周期 | 2048 | 2048 | 2048 | 2048 | 2048 |
| 座面最大高度 | 3.56 mm | 3.56 mm | 1.2 mm | 1.2 mm | 1.2 mm |
| 自我刷新 | NO | NO | NO | NO | NO |
| 最大待机电流 | 0.0005 A | 0.0005 A | 0.0005 A | 0.0005 A | 0.0005 A |
| 最大压摆率 | 0.12 mA | 0.12 mA | 0.12 mA | 0.12 mA | 0.12 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | COMMERCIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) - annealed | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Matte Tin (Sn) - annealed | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式 | J BEND | J BEND | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | 40 | 40 |
| 宽度 | 7.62 mm | 7.62 mm | 7.62 mm | 7.62 mm | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
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