Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin,
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Diodes Incorporated |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 13 weeks |
其他特性 | HIGH RELIABILITY |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 2 A |
集电极-发射极最大电压 | 200 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 50 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 3 W |
参考标准 | AEC-Q101 |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 110 MHz |
Base Number Matches | 1 |
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