AND Gate, TTL, CDIP14,
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
包装说明 | DIP, DIP14,.3 |
Reach Compliance Code | compliant |
JESD-30 代码 | R-XDIP-T14 |
逻辑集成电路类型 | AND GATE |
最大I(ol) | 0.004 A |
湿度敏感等级 | 2A |
端子数量 | 14 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | CERAMIC |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP14,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 250 |
电源 | 5 V |
最大电源电流(ICC) | 8.8 mA |
Prop。Delay @ Nom-Sup | 18 ns |
认证状态 | Not Qualified |
施密特触发器 | NO |
筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | TTL |
温度等级 | MILITARY |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
Base Number Matches | 1 |
5962-01-243-5956 | 5962-01-070-8516 | 5962-01-048-5217 | |
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描述 | AND Gate, TTL, CDIP14, | AND Gate, TTL, CDFP14, | AND Gate, TTL, CDIP14, |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
包装说明 | DIP, DIP14,.3 | DFP, FL14,.3 | DIP, DIP14,.3 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compli |
JESD-30 代码 | R-XDIP-T14 | R-XDFP-F14 | R-XDIP-T14 |
逻辑集成电路类型 | AND GATE | AND GATE | AND GATE |
最大I(ol) | 0.004 A | 0.004 A | 0.004 A |
湿度敏感等级 | 2A | 2A | 2A |
端子数量 | 14 | 14 | 14 |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
封装主体材料 | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC |
封装代码 | DIP | DFP | DIP |
封装等效代码 | DIP14,.3 | FL14,.3 | DIP14,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | FLATPACK | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 250 | 250 | 250 |
电源 | 5 V | 5 V | 5 V |
最大电源电流(ICC) | 8.8 mA | 8.8 mA | 8.8 mA |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
施密特触发器 | NO | NO | NO |
筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | NO | YES | NO |
技术 | TTL | TTL | TTL |
温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
端子形式 | THROUGH-HOLE | FLAT | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 | 30 |
Prop。Delay @ Nom-Sup | 18 ns | 18 ns | - |
Base Number Matches | 1 | 1 | - |
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