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RN2101ACT(TPL3)

产品描述tran pnp cst3 50v 100a
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小204KB,共8页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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RN2101ACT(TPL3)概述

tran pnp cst3 50v 100a

RN2101ACT(TPL3)规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.08 A
最小直流电流增益 (hFE)30
元件数量1
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.1 W
表面贴装YES
晶体管元件材料SILICON

RN2101ACT(TPL3)相似产品对比

RN2101ACT(TPL3) RN2105ACT(TPL3) RN2103ACT(TPL3) RN2106ACT(TPL3) RN2102ACT(TL3SONY)
描述 tran pnp cst3 50v 100a tran pnp cst3 50v 100a tran pnp cst3 50v 100a tran pnp cst3 50v 100a Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Reach Compliance Code unknown unknow unknow unknown unknow
最大集电极电流 (IC) 0.08 A 0.08 A 0.08 A 0.08 A 0.08 A
最小直流电流增益 (hFE) 30 80 70 80 50
元件数量 1 1 1 1 1
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP
表面贴装 YES YES YES YES YES
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
厂商名称 Toshiba(东芝) - Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
最大功率耗散 (Abs) 0.1 W 0.1 W 0.1 W 0.1 W -

 
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