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BF256C_J35Z

产品描述IC amp RF N-CH 30v 10ma TO-92
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小22KB,共3页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
标准  
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BF256C_J35Z概述

IC amp RF N-CH 30v 10ma TO-92

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BF256A/BF256B/BF256C
BF256A/BF256B/BF256C
N-Channel RF Amplifiers
• This device is designed for VHF/UHF amplifiers.
• Sourced from process 50.
1
TO-92
1. Gate 2. Source 3. Drain
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25°C unless otherwise noted
Symbol
V
DG
V
GS
I
GF
P
D
T
STG
Drain-Gate Voltage
Gate-Source Voltage
Forward Gate Current
Total Device Dissipation @T
A
=25°C
Derate above 25°C
Operating and storage Temperature Range
Parameter
Value
30
-30
10
350
2.8
- 55 ~ 150
Units
V
V
mA
mW
mW/°C
°C
Electrical Characteristics
T
a
=25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Condition
V
DS
= 0, I
G
= 1µA
V
DS
= 15V, I
D
= 200µA
V
DS
= 15V, I
D
= 10nA
V
GS
= -20V, V
GS
= 0
Min.
-30
-0.5
-0.5
-7.5
-8
-5
Max.
Units
V
V
V
nA
Off Characteristics
V
(BR)GSS
Gate-Source Breakdown Voltage
V
GS
V
GS
(off)
I
GSS
Gate-Source
Gate-Source Cutoff Voltage
Gate Reverse Current
On Characteristics
I
DSS
Zero-Gate Voltage Drain Current
BF256A
BF256B
BF256C
Small Signal Characteristics
gfs
Common Source Forward Transconductance
V
GS
= 15V, V
GS
= 0
3
6
11
4.5
7
13
18
mA
V
DS
= 15V, V
GS
= 0, f = 1KHz
mmhos
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, June 2003
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