EQUB73E6G2-10.000M-CB,EQUB73E6G2-10.000M-CB pdf中文资料,EQUB73E6G2-10.000M-CB引脚图,EQUB73E6G2-10.000M-CB电路-Datasheet-电子工程世界

EQUB73E6G2-10.000M-CB: 产品描述CMOS, Temperature Compensated Voltage Controled Quartz Crystal Clock Oscillators TCVCXO LVCMOS (CMOS) 3.3Vdc 14-Pin DIP Metal Thru-Hole Temperature Compensated Voltage Controled Quartz Crystal Clock Oscillators TCVCXO LVCMOS (CMOS) 3.3Vdc 14-Pin DIP Metal Thru-Hole; 文件大小696KB，共10页; 制造商ECLIPTEK; 官网地址http://www.ecliptek.com; 标准

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EQUB73E6G2-10.000M-CB概述

CMOS, Temperature Compensated Voltage Controled Quartz Crystal Clock Oscillators TCVCXO LVCMOS (CMOS) 3.3Vdc 14-Pin DIP Metal Thru-Hole Temperature Compensated Voltage Controled Quartz Crystal Clock Oscillators TCVCXO LVCMOS (CMOS) 3.3Vdc 14-Pin DIP Metal Thru-Hole

EQUB73E6G2-10.000M-CB规格参数

参数名称	属性值
Brand Name	Ecliptek
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
Objectid	7043151178
零件包装代码	14 Pin DIP
针数	4
制造商包装代码	14 Pin DIP
Reach Compliance Code	compliant
老化	1 PPM/YEAR
最大控制电压	2.5 V
最小控制电压	0.5 V
最长下降时间	10 ns
频率调整-机械	NO
频率偏移/牵引率	5 ppm
频率稳定性	2%
JESD-609代码	e3
安装特点	THROUGH HOLE MOUNT
标称工作频率	10 MHz
最高工作温度	75 °C
最低工作温度	-30 °C
振荡器类型	CMOS
输出负载	15 pF
物理尺寸	20.2mm x 12.8mm x 8.3mm
最长上升时间	10 ns
最大供电电压	3.465 V
最小供电电压	3.135 V
标称供电电压	3.3 V
表面贴装	NO
最大对称度	60/40 %
端子面层	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

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