Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> JANTX2N7219

JANTX2N7219: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小583KB，共3页; 制造商Semicoa; 官网地址http://www.snscorp.com/Semicoa.htm

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JANTX2N7219概述

Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3

JANTX2N7219规格参数

参数名称	属性值
包装说明	FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	450 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	200 V
最大漏极电流 (ID)	18 A
最大漏源导通电阻	0.25 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-254AA
JESD-30 代码	S-XSFM-P3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	SQUARE
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	72 A
认证状态	Not Qualified
参考标准	MIL-19500
表面贴装	NO
端子形式	PIN/PEG
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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SCF2N7219T1

JANTX2N7219

JANTXV2N7219

POWER MOSFET

FOR RUGGED ENVIRONMENTS

DESCRIPTION

TO-254AA

REF: MIL-PRF-19500/596



N-Channel



200 Volt



< 0.180 Ohms



18 Amp

SEMICOA’s MOSFET technology is designed for rugged environments providing excellent long term reliabil-

ity. SEMICOA’s long heritage providing military grade technology and packaging allows these devices to be

used for ground based telecommunications, vehicles, ships, weapon systems and other application where failure

is not an option.

FEATURES



Available in JANTX and JANTXV equivalent levels

RDS

(ON)

< 180 mΩ

Simple Drive Requirements

Low Gate Charge



Ease of Paralleling

Hermetically Sealed

Die Available

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

@ V

= 10 V, T

= 25° C

@ V

= 10 V, T

= 100° C

IDM

PD@ TC = 25° C

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

(1)

Max Power Dissipation

Linear Derating Factor

VGS

EAS

IAR

TSTG

Gate to Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy

(2)

Avalanche Current

(1)

Operating Junction

Storage Temperature Range

Lead Temperature

Weight

For footnotes refer to the last page

125

1.0

±20

450

-55 to 150

300

9.3 typical

W/°C

°C

UNITS

333 McCormick Avenue Costa Mesa, CA 92626 714-979-1900

www.semicoa.com

sales@semicoa.com

Rev. 1

JANTX2N7219相似产品对比

	JANTX2N7219	JANTXV2N7219	SCF2N7219T1
描述	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3
包装说明	FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3	FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3	FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	450 mJ	450 mJ	450 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	200 V	200 V	200 V
最大漏极电流 (ID)	18 A	18 A	18 A
最大漏源导通电阻	0.25 Ω	0.25 Ω	0.25 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-254AA	TO-254AA	TO-254AA
JESD-30 代码	S-XSFM-P3	S-XSFM-P3	S-XSFM-P3
元件数量	1	1	1
端子数量	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	72 A	72 A	72 A
表面贴装	NO	NO	NO
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-
参考标准	MIL-19500	MIL-19500	-
Base Number Matches	1	1	-

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