Dual-Port SRAM, 4KX16, 45ns, CMOS, CPGA84, PGA-84
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| Objectid | 1164070182 |
| 包装说明 | PGA, PGA84M,11X11 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 45 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | S-CPGA-P84 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 65536 bit |
| 内存集成电路类型 | MULTI-PORT SRAM |
| 内存宽度 | 16 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 2 |
| 端子数量 | 84 |
| 字数 | 4096 words |
| 字数代码 | 4000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 4KX16 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | PGA |
| 封装等效代码 | PGA84M,11X11 |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | GRID ARRAY |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.0015 A |
| 最小待机电流 | 2 V |
| 最大压摆率 | 0.29 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | PIN/PEG |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | PERPENDICULAR |
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