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SM10LZ47

产品描述AC POWER CONTROL APPLICATIONS
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小87KB,共3页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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SM10LZ47概述

AC POWER CONTROL APPLICATIONS

SM10LZ47规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
换向电压的临界上升率-最小值10 V/us
最大直流栅极触发电流30 mA
最大直流栅极触发电压1.5 V
最大维持电流50 mA
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大漏电流0.02 mA
通态非重复峰值电流110 A
元件数量1
端子数量3
最大通态电流10000 A
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大均方根通态电流10 A
重复峰值关态漏电流最大值20 µA
断态重复峰值电压800 V
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
触发设备类型TRIAC

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SM10LZ47
TOSHIBA BI−DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE
SM10LZ47
AC POWER CONTROL APPLICATIONS
Unit: mm
l
Repetitive Peak Off−State Voltage : V
DRM
= 800V
l
R.M.S. On−State Current
l
High Commutation (dv / dt)
l
Isolation Voltage
: V
ISOL
=
1500V
AC
: I
T (RMS)
=
10A
MAXIMUM RATINGS
CHARACTERISTIC
Repetitive Peak Off−State Voltage
R.M.S On−State Current
(Full Sine Waveform)
Peak One Cycle Surge On−State
Current (Non−Repetitive)
I t Limit Value
Critical Rate of Rise of On−State
Current
(Note)
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Voltage
Peak Gate Current
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Isolation Voltage (AC, t = 1min.)
2
SYMBOL
V
DRM
I
T (RMS)
I
TSM
I t
di / dt
P
GM
P
G (AV)
V
FGM
I
GM
T
j
T
stg
V
ISOL
2
RATING
800
10
100 (50Hz)
110 (60Hz)
50
50
5
0.5
10
2
−40~125
−40~125
1500
UNIT
V
A
A
A s
A / µs
W
W
V
A
°C
°C
V
2
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
Weight: 1.7g
13−10H1A
Note:
di / dt test condition
V
DRM
= 0.5 × Rated, I
TM
15A, t
gw
10µs,
t
gr
250ns, i
gp
= I
GT
× 2.0
1
2001-07-10

 
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